[发明专利]制造IGZO层和TFT的方法有效
| 申请号： | 201310281940.8 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN104282567B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 黄家琦;许民庆;蔡学明;左文霞 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 于宝庆,刘春生 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造IGZO层和TFT的方法，包括(1)沉积IGZO层，并在所述IGZO层上形成表面氧保护层；(2)对IGZO层进行光致抗蚀剂涂布，并对所述光致抗蚀剂进行曝光和显影处理，以形成光致抗蚀剂图案；以及(3)对IGZO层进行蚀刻，之后进行去光致抗蚀剂处理。本发明的制造IGZO层和TFT的方法通过形成氧保护层，有效地阻挡H原子对IGZO层的影响，避免H原子将IGZO层由半导体转变为导体，从而提高IGZO层和TFT的稳定性，降低由于器件长时间连续使用而产生的阈值电压负向偏压。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 igzo tft 方法 | ||
【主权项】：
一种制造TFT的方法，包括：(1)沉积IGZO层，并在所述IGZO层上形成表面氧保护层；(2)对IGZO层进行光致抗蚀剂涂布，并对所述光致抗蚀剂进行曝光和显影处理，以形成光致抗蚀剂图案；以及(3)对IGZO层进行蚀刻，之后进行去光致抗蚀剂处理，其中通过在所述IGZO层的成膜后将靶材反转同时通入O2形成所述表面氧保护层，或者通过在所述IGZO层的成膜后通入O2与Ar的混合气体来形成所述表面氧保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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