[发明专利]应用于马达的驱动切换系统有效
申请号: | 201310277100.4 | 申请日: | 2013-07-03 |
公开(公告)号: | CN104283488A | 公开(公告)日: | 2015-01-14 |
发明(设计)人: | 陈炫全 | 申请(专利权)人: | 远翔科技股份有限公司 |
主分类号: | H02P27/08 | 分类号: | H02P27/08 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;常大军 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种应用于马达的驱动切换系统,其包含一H桥式电路、至少一反冲电压检测模块与至少一驱动控制模块,H桥式电路包含第一PMOS场效晶体管、第一NMOS场效晶体管、第二PMOS场效晶体管与第二NMOS场效晶体管。第一NMOS场效晶体管电性连接于第一PMOS场效晶体管而有第一电性连接端,第二NMOS场效晶体管电性连接于第二PMOS场效晶体管而有第二电性连接端,第一与第二电性连接端间具有至少一线圈。反冲电压检测模块用以检测第一电性连接端的第一反冲电压与第二电性连接端的第二反冲电压。驱动控制模块用以在第一与第二反冲电压达到第一或第二阈值时,切换第一与第二PMOS场效晶体管、第一与第二NMOS场效晶体管而驱动马达。 | ||
搜索关键词: | 应用于 马达 驱动 切换 系统 | ||
【主权项】:
一种应用于马达的驱动切换系统,用以驱动一马达,其特征在于,该应用于马达的驱动切换系统包含:一H桥式电路,包含:一第一P型金氧半场效晶体管;一第一N型金氧半场效晶体管,电性连接于该第一PMOS场效晶体管而具有一第一电性连接端;一第二PMOS场效晶体管;以及一第二NMOS场效晶体管,电性连接于该第二PMOS场效晶体管而具有一第二电性连接端,而该第一电性连接端与该第二电性连接端电性连接至少一线圈;至少一反冲电压检测模块,设有一第一阈值与一第二阈值,并且电性连接于该第一电性连接端与该第二电性连接端,用以检测该第一电性连接端的一第一反冲电压与该第二电性连接端的一第二反冲电压,藉以依据该第一反冲电压与该第二反冲电压发送出一检测信号;以及至少一驱动控制模块,电性连接于该反冲电压检测模块,用以接收该检测信号,并且在一第一切换阶段、一第二切换阶段以及一第三切换阶段中,切换该第一PMOS场效晶体管、该第二PMOS场效晶体管、该第一NMOS场效晶体管与该第二NMOS场效晶体管,藉以驱动该马达;其中,在该第一切换阶段中,该驱动控制模块关闭该第一PMOS场效晶体管,在该第一反冲电压达到该第一阈值时,该反冲电压检测模块发送出该检测信号而使该驱动控制模块导通该第一NMOS场效晶体管,藉以使该线圈的一第一残余电流流经该第一NMOS场效晶体管、该线圈与该第二NMOS场效晶体管;在该第二切换阶段中,该驱动控制模块关闭该第二NMOS场效晶体管,在该第二反冲电压达该第二阈值时,该反冲电压检测模块发送出该检测信号而使该驱动控制模块导通该第二PMOS场效晶体管,且该第一反冲电压到达该第一阈值时,该反冲电压检测模块发送出该检测信号进一步使该驱动控制模块导通该第一PMOS场效晶体管并强制关闭该第一NMOS场效晶体管,藉以使一第二残余电流流经该第一PMOS场效晶体管、该线圈与该第二PMOS场效晶体管;在该第三切换阶段中,该驱动控制模块关闭该第二PMOS场效晶体管,在该第二反冲电压达到该第一阈值时,该反冲电压检测模块发送出该检测信号而使该驱动控制模块导通该第二NMOS场效晶体管,藉以使该线圈的一第三残余电流流经该第二NMOS场效晶体管、该线圈与该第一NMOS场效晶体管。
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