[发明专利]应用于马达的驱动切换系统

权利要求书

1.一种应用于马达的驱动切换系统，用以驱动一马达，其特征在于，该应用于马达的驱动切换系统包含：

一H桥式电路，包含：

一第一P型金氧半场效晶体管；

一第一N型金氧半场效晶体管，电性连接于该第一PMOS场效晶体管而具有一第一电性连接端；

一第二PMOS场效晶体管；以及

一第二NMOS场效晶体管，电性连接于该第二PMOS场效晶体管而具有一第二电性连接端，而该第一电性连接端与该第二电性连接端电性连接至少一线圈；

至少一反冲电压检测模块，设有一第一阈值与一第二阈值，并且电性连接于该第一电性连接端与该第二电性连接端，用以检测该第一电性连接端的一第一反冲电压与该第二电性连接端的一第二反冲电压，藉以依据该第一反冲电压与该第二反冲电压发送出一检测信号；以及

至少一驱动控制模块，电性连接于该反冲电压检测模块，用以接收该检测信号，并且在一第一切换阶段、一第二切换阶段以及一第三切换阶段中，切换该第一PMOS场效晶体管、该第二PMOS场效晶体管、该第一NMOS场效晶体管与该第二NMOS场效晶体管，藉以驱动该马达；

其中，在该第一切换阶段中，该驱动控制模块关闭该第一PMOS场效晶体管，在该第一反冲电压达到该第一阈值时，该反冲电压检测模块发送出该检测信号而使该驱动控制模块导通该第一NMOS场效晶体管，藉以使该线圈的一第一残余电流流经该第一NMOS场效晶体管、该线圈与该第二NMOS场效晶体管；在该第二切换阶段中，该驱动控制模块关闭该第二NMOS场效晶体管，在该第二反冲电压达该第二阈值时，该反冲电压检测模块发送出该检测信号而使该驱动控制模块导通该第二PMOS场效晶体管，且该第一反冲电压到达该第一阈值时，该反冲电压检测模块发送出该检测信号进一步使该驱动控制模块导通该第一PMOS场效晶体管并强制关闭该第一NMOS场效晶体管，藉以使一第二残余电流流经该第一PMOS场效晶体管、该线圈与该第二PMOS场效晶体管；在该第三切换阶段中，该驱动控制模块关闭该第二PMOS场效晶体管，在该第二反冲电压达到该第一阈值时，该反冲电压检测模块发送出该检测信号而使该驱动控制模块导通该第二NMOS场效晶体管，藉以使该线圈的一第三残余电流流经该第二NMOS场效晶体管、该线圈与该第一NMOS场效晶体管。

2.根据权利要求1所述的应用于马达的驱动切换系统，其特征在于，该反冲电压检测模块更设有一第三阈值，在该第一切换阶段中，在该第一反冲电压达到该第三阈值时，该反冲电压检测模块使该驱动控制模块进一步导通该第一PMOS场效晶体管，藉以使该第一残余电流进一步流经该第一PMOS场效晶体管、该线圈与该第二NMOS场效晶体管。

3.根据权利要求2所述的应用于马达的驱动切换系统，其特征在于，该第一阈值小于0，且该第三阈值小于该第一阈值。

4.根据权利要求1所述的应用于马达的驱动切换系统，其特征在于，该反冲电压检测模块更设有一第四阈值，在该第二切换阶段中，在该第二反冲电压达到该第四阈值时，该反冲电压检测模块使该驱动控制模块进一步导通该第二NMOS场效晶体管，藉以使该第二残余电流进一步流经该第一PMOS场效晶体管、该线圈与该第二NMOS场效晶体管。

5.根据权利要求4所述的应用于马达的驱动切换系统，其特征在于，该第一PMOS场效晶体管以及该第二PMOS场效晶体管电性连接于一来源电压，该第二阈值大于该来源电压，且该第四阈值大于该第二阈值。

6.根据权利要求1所述的应用于马达的驱动切换系统，其特征在于，在该第三切换阶段中，该第二反冲电压达到该第三阈值时，该反冲电压检测模块使该驱动控制模块进一步导通该第二PMOS场效晶体管，藉以使该第三残余电流进一步流经该第二PMOS场效晶体管、该线圈与该第一NMOS场效晶体管。

7.根据权利要求1所述的应用于马达的驱动切换系统，其特征在于，在该第一切换阶段之前，该驱动控制模块使该第一PMOS场效晶体管与该第二NMOS场效晶体管导通，藉以使一电流流经该第一PMOS场效晶体管、该线圈与该第二NMOS场效晶体管，据以使该驱动控制模块以一第一电流相位驱动该马达。

8.根据权利要求7所述的应用于马达的驱动切换系统，其特征在于，在该第二切换阶段之后，在该反冲电压检测模块检测到该第一反冲电压为0时，该驱动控制模块导通该第二PMOS场效晶体管以及该第一NMOS场效晶体管，藉以使该电流流经该第二PMOS场效晶体管、该线圈与该第一NMOS场效晶体管，据以使该驱动控制模块以一第二电流相位驱动该马达，在该驱动控制模块关闭该第二PMOS场效晶体管后，系进入该第三切换阶段。