[发明专利]一种基于框架采用切割刀优化技术的扁平封装件的制作工艺在审
| 申请号： | 201310275594.2 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103400805A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 李站;李万霞;魏海东;崔梦 | 申请（专利权）人： | 华天科技（西安）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710018 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于框架采用切割刀优化技术的扁平封装件的制作工艺，所述制作工艺：晶圆减薄→划片→上芯（粘片）→压焊→塑封→后固化→使用长切割刀切割→检验→包装→入库。本发明提高了产品生产周期，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 框架 采用 切割 优化 技术 扁平封装 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种基于框架采用切割刀优化技术的扁平封装件的制作工艺，其特征在于：按照以下步骤进行：第一步、晶圆减薄：晶圆减薄厚度50μm～200μm，粗糙度Ra 0.10mm～0.05mm ；第二步、划片：150μm以上晶圆同普通QFN/DFN划片工艺，但厚度在150μm以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺；第三步、上芯（粘片）：既可采用粘片胶又可采用胶膜片（DAF）上芯；第四步、压焊、塑封、后固化、打印，与常规QFN/DFN工艺相同；第五步、切割：使用增加了长度的切割刀进行切割；第六步、检验、包装等均与常规QFN/DFN工艺相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华天科技（西安）有限公司，未经华天科技（西安）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310275594.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
