[发明专利]一种双面透光纳米线织构异质结太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201310275336.4 | 申请日: | 2013-07-02 |
公开(公告)号: | CN103378183A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 赵会娟;张东升 | 申请(专利权)人: | 国电光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0352;H01L31/18;H01L31/20 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 214213 江苏省无锡市宜兴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种双面透光纳米线织构异质结太阳能电池,包括晶硅基层,所述晶硅基层前表面依次第一本征硅薄膜、第一掺杂硅薄膜和正电极,所述晶硅基层前表面为纳米线织构,所述晶硅基层后表面依次设有第二本征硅薄膜、第二掺杂硅薄膜、透明导电层TCO和后电极。本发明太阳能电池的纳米线织构具有优异的陷光作用,它对近紫外到近红外波段的入射光几乎全部吸收,从而使得光电转化效率大大提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 透光 纳米 线织构异质结 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种双面透光纳米线织构异质结太阳能电池,其特征在于:包括晶硅基层(1),所述晶硅基层(1)前表面依次第一本征硅薄膜(2)、第一掺杂硅薄膜(3)和正电极(4),所述晶硅基层(1)前表面为纳米线织构(5),所述晶硅基层(1)后表面依次设有第二本征硅薄膜(6)、第二掺杂硅薄膜(7)、透明导电层TCO(8)和后电极(9)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的