[发明专利]近场天线有效
| 申请号： | 201310269868.7 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103633445A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 安德雷·S·安德连科;甲斐学 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01Q9/06 | 分类号： | H01Q9/06;H01Q1/38;H01Q1/22;H01Q13/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李春晖;李德山 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 种近场天线包括：接地电极，其被布置在第一介电层的下表面；导体，其被布置在所述第一介电层和第二介电层之间，并与所述接地电极一起形成微带天线，所述导体的一端与供电端口相连接，所述导体的另一端是开口端；以及至少一个谐振器，其被布置在所述第二介电层的上表面的某一范围内，在所述范围内，对于流经所述微带天线的电流的驻波的任一个节点，所述谐振器能够与所述微带天线电磁耦合，其中，所述流经所述微带天线的电流取决于从所述微带天线发射的或通过所述微带天线接收的具有某一设计波长的电波。 | ||
| 搜索关键词： | 近场 天线 | ||
【主权项】：
一种近场天线，包括：基片，其包括第一介电层和第二介电层，所述第二介电层设置在第一介电层上面；接地电极，其被布置在所述第一介电层的下表面；导体，其被布置在所述第一介电层和所述第二介电层之间，并与所述接地电极一起形成微带天线，所述导体的一端与供电端口相连接，所述导体的另一端是开口端；以及至少一个谐振器，其被布置在所述第二介电层的上表面的某一范围内，在所述范围内，对于流经所述微带天线的电流的驻波的任一个节点，所述谐振器能够与所述微带天线电磁耦合，其中，所述流经所述微带天线的电流取决于从所述微带天线发射的或通过所述微带天线接收的具有某一设计波长的电波。
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