[发明专利]近场天线有效
申请号: | 201310269868.7 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN103633445A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 安德雷·S·安德连科;甲斐学 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01Q9/06 | 分类号: | H01Q9/06;H01Q1/38;H01Q1/22;H01Q13/08 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李春晖;李德山 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 近场 天线 | ||
1.一种近场天线,包括:
基片,其包括第一介电层和第二介电层,所述第二介电层设置在第一介电层上面;
接地电极,其被布置在所述第一介电层的下表面;
导体,其被布置在所述第一介电层和所述第二介电层之间,并与所述接地电极一起形成微带天线,所述导体的一端与供电端口相连接,所述导体的另一端是开口端;以及
至少一个谐振器,其被布置在所述第二介电层的上表面的某一范围内,在所述范围内,对于流经所述微带天线的电流的驻波的任一个节点,所述谐振器能够与所述微带天线电磁耦合,其中,所述流经所述微带天线的电流取决于从所述微带天线发射的或通过所述微带天线接收的具有某一设计波长的电波。
2.如权利要求1所述的近场天线,其中,所述至少一个谐振器中的第一谐振器被布置在沿导体距开口端的距离是设计波长的一半处。
3.如权利要求2所述的近场天线,其中,
所述至少一个谐振器包括多个谐振器,并且,
所述多个谐振器中每一个谐振器被布置为使得沿所述导体两个相邻的谐振器之间的距离是设计波长的一半。
4.如权利要求2所述的近场天线,其中,
所述至少一个谐振器包括多个谐振器,并且,
所述多个谐振器中的每一个谐振器被布置为使得沿所述导体两个相邻的谐振器之间的距离为设计波长。
5.如权利要求4所述的近场天线,其中,
所述导体包括两个相邻的谐振器之间的曲折形状,并且,
所述两个相邻的谐振器之间的间隔短于设计波长。
6.如权利要求3所述的近场天线,其中,
所述导体包括两个相邻的谐振器之间的曲折形状,并且,
所述两个相邻的谐振器之间的间隔短于设计波长的一半。
7.如权利要求5所述的近场天线,其中,
所述多个谐振器被形成为朝向所述导体的开口端的凸形,并且,所述多个谐振器中的每一个谐振器的至少一部分与从所述导体的供电端口延伸到开口端的线成锐角。
8.如权利要求7所述的近场天线,其中,
所述多个谐振器的至少一部分是谐振器的两端。
9.如权利要求5所述的近场天线,其中,
所述多个谐振器被形成为使得不与所述导体的包含曲折形状的部分重叠。
10.如权利要求1到6中任一项所述的近场天线,其中,
所述至少一个谐振器包括一种当与所述导体的距离更大时沿所述导体的轴向的宽度更宽的形状。
11.如权利要求1到6中任一项所述的近场天线,其中,
所述至少一个谐振器包括两个第二导体,其被布置为互相交叉成X字符的形状,并且,
所述两个第二导体的交叉点正好位于所述导体上方。
12.如权利要求1到6中任一项所述的近场天线,其中,所述至少一个谐振器包括曲折形状。
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