[发明专利]一种偶极环磁铁反应腔电弧的监测方法在审

专利信息
申请号: 201310266358.4 申请日: 2013-06-28
公开(公告)号: CN104253062A 公开(公告)日: 2014-12-31
发明(设计)人: 吴敏;王旭东 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 张静洁;徐雯琼
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种偶极环磁铁反应腔电弧的监测方法,该方法包含以下步骤:1、检测反应腔等离子体电压;2、求前后两秒之间反应腔等离子体电压的差值;3、绘制并实时显示每片晶圆工艺过程中的反应腔等离子体电压差值跟踪图;4、判断反应腔等离子体电压每间隔两秒的差值是否大于阈值,若是,则偶极环磁铁反应腔发生电弧,并停止工艺进行,若否,则继续进行工艺。本发明通过等离子体电压差值计算,绘制等离子体电压差值跟踪图,能及时探测到晶圆或设备电弧的发生,从而降低晶圆破损的潜在危险,本发明操作简单、效果明显。
搜索关键词: 一种 偶极环 磁铁 反应 电弧 监测 方法
【主权项】:
一种偶极环磁铁反应腔电弧的监测方法,其特征在于,该方法包含以下步骤:步骤1、故障检测及分类系统分别实时检测每片晶圆在工艺过程中的反应腔等离子体电压;步骤2、对于每片晶圆,故障检测及分类系统取该晶圆工艺过程中每隔两秒的反应腔等离子体电压,并分别求前后两秒之间反应腔等离子体电压的差值;步骤3、故障检测及分类系统根据每片晶圆工艺过程中每间隔两秒之间反应腔等离子体电压的差值,绘制并实时显示每片晶圆工艺过程中的反应腔等离子体电压差值跟踪图;步骤4、实时监测反应腔等离子体电压差值跟踪图,判断每片晶圆工艺过程中,其反应腔等离子体电压每间隔两秒的差值是否大于阈值,该阈值设定范围为10至100伏,若是,则偶极环磁铁反应腔发生电弧,并停止工艺进行,若否,则继续进行工艺。
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