[发明专利]一种检测源极多晶硅经化学机械研磨后表面异常的方法在审
| 申请号： | 201310266284.4 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN104253061A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 杨兴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种检测源极多晶硅经化学机械研磨后表面异常的方法，采用KT电子扫描显微镜对源极多晶硅经化学机械研磨后的表面进行检测，KT电子扫描显微镜持续发射原生入射电子对源极多晶硅表面进行扫描，源极多晶硅表面的价电子被激发，形成二次电子，然后KT电子扫描显微镜侦测源极多晶硅表面被激发出的二次电子并成像，异常表面的成像亮度大于正常表面的成像亮度。本发明能够简单有效地检测到源极多晶硅的表面异常，降低了晶片受损的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 极多 晶硅经 化学 机械 研磨 表面 异常 方法 | ||
【主权项】：
一种检测源极多晶硅经化学机械研磨后表面异常的方法，其特征在于，采用KT电子扫描显微镜对源极多晶硅经化学机械研磨后的表面进行检测，该方法包含以下步骤：步骤1、KT电子扫描显微镜发射原生入射电子对源极多晶硅表面进行扫描，源极多晶硅表面的价电子被激发，形成二次电子；KT电子扫描显微镜持续对源极多晶硅表面进行扫描；步骤2、KT电子扫描显微镜侦测源极多晶硅表面被激发出的二次电子并成像，判断是否存在表面异常。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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