[发明专利]场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种FS型RC‑IGBT，包括终端结构和有源区，场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管的衬底为N型衬底，衬底的背面设有N型的电场终止层，电场终止层背离衬底的一面设有背面P型结构，背面P型结构的表面设有背面金属层；有源区内形成有多个从背面金属层贯穿背面P型结构至电场终止层内的槽口，背面金属层的金属填充入槽口中形成伸入电场终止层的金属结构。本发明还涉及一种FS型RC‑IGBT的制造方法。本发明终端结构内不设置伸入电场终止层的金属结构，二极管导通时只有少部分空穴流过终端结构内的漂移区，减小了内置二极管恢复时恢复电流的大小，改善了二极管的反向恢复能力。

主权项

一种场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管，包括外围的终端结构和被所述终端结构包围的有源区，所述场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管的衬底为N型衬底，所述衬底的背面设有N型的电场终止层，所述电场终止层背离所述衬底的一面设有背面P型结构，所述背面P型结构背离所述衬底的表面设有背面金属层；其特征在于，所述有源区内形成有多个从背面金属层贯穿所述背面P型结构至所述电场终止层内的槽口，所述背面金属层的金属填充入所述槽口中形成伸入电场终止层的金属结构，所述终端结构内不设置所述槽口和所述伸入电场终止层的金属结构，所述电场终止层的掺杂浓度大于衬底的掺杂浓度。