[发明专利]检测接触孔与多晶硅栅极对准度的方法有效
| 申请号： | 201310262927.8 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103346100A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种检测接触孔与多晶硅栅极对准度的方法，包括：准备检测待检测晶圆，将待检测晶圆流片到阱区离子注入步骤，跳过N阱离子注入步骤，并将P阱离子注入改为无光阻离子注入，使晶圆基底全部成为P离子区；将待检测晶圆继续流片到有源区离子注入，跳过P有源区离子注入步骤，将N源区离子注入改为无光阻离子注入；将晶圆流片到接触孔平坦化制程，并在接触孔平坦化制程后应用电子束缺陷扫描仪对待检测晶圆进行漏电缺陷检测。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 接触 多晶 栅极 对准 方法 | ||
【主权项】：
一种检测接触孔与多晶硅栅极对准度的方法，其特征在于包括：第一步骤：准备检测待检测晶圆，将待检测晶圆流片到阱区离子注入步骤，跳过N阱离子注入步骤，并将P阱离子注入改为无光阻离子注入，使晶圆基底全部成为P离子区；第二步骤：将待检测晶圆继续流片到有源区离子注入，跳过P有源区离子注入步骤，将N源区离子注入改为无光阻离子注入；第三步骤：将晶圆流片到接触孔平坦化制程，并在接触孔平坦化制程后应用电子束缺陷扫描仪对待检测晶圆进行漏电缺陷检测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
