[发明专利]静电保护结构在审
| 申请号： | 201310261387.1 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104253425A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 苏庆;邓樟鹏;苗彬彬;张强 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静电保护结构，包括：静电进入端连接第一电容的一端、第一NPN三极管和第二NPN三极管的集电极；第一NPN三极管其发射极连接第一电容的另一端、第一二极管的正极和第一电R1的一端，其基极连接第一二极管的负极、第二二极管的正极、第二电阻的一端、第一电阻的另一端和第二NPN三极管的发射极；第二二极管的负极、第二电阻的另一端和第二NPN三极管的基极接地。本发明的静电保护结构利用已有CMOS器件能降低静电保护开启电压，确保在电路正常工作下处于关断状态，当有静电来临时能瞬间开启并泄放电流，能提升器件泄放电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种静电保护结构，其特征是，包括：静电进入端（E）连接第一电容（C1）的一端、第一NPN三极管（T1）和第二NPN三极管（T2）的集电极；第一NPN三极管（T1）其发射极连接第一电容（C1）的另一端、第一二极管（D1）的正极和第一电阻（R1）的一端，其基极连接第一二极管（D1）的负极、第二二极管（D2）的正极、第二电阻（R2）的一端、第一电阻（R1）的另一端和第二NPN三极管（T2）的发射极；第二二极管（D2）的负极、第二电阻（R2）的另一端和第二NPN三极管（T2）的基极接地（G）。
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