[发明专利]一种提升光伏电池片并联电阻的方法有效
| 申请号： | 201310260236.4 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103311377A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 熊震;邓伟伟;卫志敏;祁宏山 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 213031 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种提升光伏电池片并联电阻的方法。根据本发明的一种选择性发射结电池的制备工艺，包括：制备含发射结的硅片；在所述硅片正面设置掩模，所述掩模保护所述硅片正面的待金属化区域以及所述硅片正面的边缘部分；对所述硅片进行正面刻蚀；去除所述掩模；以及对所述硅片进行背面和正面边缘刻蚀。所述掩模包括设置在所述硅片正面的边缘部分上的掩模外框。本发明还公开了通过上述制备工艺制得的选择性发射结电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 电池 并联 电阻 方法 | ||
【主权项】：
一种选择性发射结电池的制备工艺，包括：制备含发射结的硅片；在所述硅片正面设置掩模，所述掩模保护所述硅片正面的待金属化区域以及所述硅片正面的边缘部分；对所述硅片进行正面刻蚀；去除所述掩模；以及对所述硅片进行背面和正面边缘刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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