[发明专利]一种晶圆减薄的方法有效
| 申请号： | 201310256826.X | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103413772A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 张守龙;白英英;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/30 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的一种晶圆减薄的方法，包括：对多层晶圆进行键合工艺；在键合后的晶圆的边缘缝隙中施加填充物；对填充物进行固化处理；对键合的最上层晶圆和/或最下层晶圆进行减薄工艺；将填充物去除。本发明的方法，在对晶圆进行减薄时，晶圆边缘不会产生受力断裂，避免了断裂时产生的碎屑在晶圆表面形成划痕和残留；由于不需要修边工艺，简化了工艺过程，降低了成本，提高了晶圆面积利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆减薄 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆减薄的方法，其特征在于，包括：步骤S01：对多层晶圆进行键合工艺；步骤S02：在所述键合后的晶圆的边缘缝隙中施加填充物；步骤S03：对所述的填充物进行固化处理；步骤S04：对所述键合的最上层晶圆和/或最下层晶圆进行减薄工艺；步骤S05：将所述填充物去除。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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