[发明专利]基于非单晶衬底的GaN基LED外延片有效
| 申请号： | 201310256126.0 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103325893A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 罗毅;王健;汪莱;郝智彪;韩彦军;熊兵 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于非单晶衬底的GaN基LED外延片，其包括非单晶衬底（1）、结晶过渡结构（2）、n-GaN层（3）、发光层（4）和p-GaN（5）；所述的非单晶衬底是可用于大面积生产的非单晶衬底；所述的n-GaN层、发光层和p-GaN是采用低温外延生长技术制备的GaN基外延层。根据本发明提供的GaN基LED外延片，其可突破单晶衬底尺寸限制，可实现大面积的GaN基面光源和主动发光的平板显示器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 非单晶 衬底 gan led 外延 | ||
【主权项】：
一种基于非单晶衬底的GaN基LED外延片，其特征在于：包括非单晶衬底（1）、结晶过渡结构（2）、n‑GaN层（3）、发光层（4）和p‑GaN（5）；所述的非单晶衬底（1）为用于大面积生产的非单晶衬底；所述的n‑GaN层（3）、发光层（4）和p‑GaN（5）采用低温外延生长技术制备的GaN基外延层。
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