[发明专利]虚拟化电特性优化测试方法有效
| 申请号： | 201310254372.2 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104239591B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 宋旻皓;陈斌斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了虚拟化电特性优化测试方法，测试流程包括1）采集调试样品芯片的模拟值和工艺特性参数，建立与所采集的数据最匹配的函数模型；2）根据置信区间确定量产测试中建模需要采集的样品数；3）在量产测试时，采集步骤2）确定的样品数的芯片的数据，通过数学优化方法，建立产品虚拟化电特性优化测试最佳函数；4）参照步骤3）建立的最佳函数，完成所有芯片的虚拟化电特性优化量产测试。本发明通过建立产品电特性优化测试（TRIM）数据模型，寻找数据的最佳函数匹配，在量产测试程序中参照该函数完成所有芯片的虚拟化电特性优化测试（VTRIM），实现了全晶圆所有芯片电特性参数的快速、可靠优化。 | ||
| 搜索关键词： | 虚拟 特性 优化 测试 方法 | ||
【主权项】：
虚拟化电特性优化测试方法，其特征在于，测试步骤包括：1)采集调试样品芯片的电优化参数模拟值和工艺特性参数，建立与所采集的数据最匹配的线性拟合函数模型；2)根据置信区间确定量产测试中建模需要采集的样品数；所述样品数满足公式：r＝CONFIDENCE((1‑α)/2，(σ+Δ)，S)<±A/n其中，±A为模拟值设计范围，n为数字参数个数，S为需采集样品数，r为置信范围，α为要求的置信区间，σ为基于调试样品芯片的线性拟合函数的斜率计算得到的样本标准偏差，Δ为根据所述工艺特性参数估算得到的工艺浮动；3)在量产测试时，采集步骤2)所确定的样品数的芯片的数据，通过数学优化方法，建立产品虚拟化电特性优化测试最佳函数；4)参照步骤3)建立的最佳函数，完成所有芯片的虚拟化电特性优化量产测试。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310254372.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
