[发明专利]一种真空断路器屏蔽罩电容值检测的方法与装置有效

专利信息
申请号: 201310244583.8 申请日: 2013-06-20
公开(公告)号: CN104237647B 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 侯春光;王兴华;赵洋;曹云东 申请(专利权)人: 沈阳工业大学
主分类号: G01R27/26 分类号: G01R27/26
代理公司: 沈阳亚泰专利商标代理有限公司21107 代理人: 韩辉
地址: 110870 辽宁省沈阳市沈阳经济*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种真空断路器屏蔽罩电容值检测的方法与装置,该方法是将铜箔贴附于真空断路器表面,利用电场传感器检测铜箔上感应电场的变化,通过单片机计算出屏蔽罩的电容值;该装置由铜箔、电场传感器及配套电路、单片机组成,屏蔽罩电容值的检测由铜箔和电场传感器完成,电场传感器将测量数据传递给单片机,后者通过收到的测量数据计算出屏蔽罩电容值。本发明给出的检测方法通过检测真空断路器表面屏蔽罩位置的电场数值间接获取真空断路器的屏蔽罩电容值,给出的检测装置结构简单、使用方便、成本低且测量灵敏度高。
搜索关键词: 一种 真空 断路器 屏蔽 电容 检测 方法 装置
【主权项】:
一种真空断路器屏蔽罩电容值检测的方法,其特征在于:当真空断路器工作时,真空断路器内灭弧室屏蔽罩上的静电荷会使周围金属表面出现感应电荷,将铜箔贴附于真空断路器外表面的屏蔽罩位置,使其与灭弧室屏蔽罩的位置等高,使用导线连接检测处理单元与铜箔,再检测铜箔上感应电场大小,计算出屏蔽罩的电容数值,计算过程如下:设触头在合闸位置时屏蔽罩上的电容值为C1,触头在分闸位置时屏蔽罩上的电容值为C2,C1与C2在铜箔上的感应电场值为U1与U2,检测到铜箔上的电场值为U,由于电容与电场存在线性关系,则此时铜箔上对应的电容值C为:。
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