[发明专利]集成功率半导体器件、其制造方法和斩波电路

摘要

本发明提供了一种有半导体本体的单片集成的功率半导体器件。半导体本体有第一和第二区域，其分别从本体的第一表面延伸直至半第二表面，第一表面的法线方向定义了垂直方向。在第一区域中形成的功率场效应晶体管结构有本体的第一表面上的第一负载接口和第二表面上的第二负载接口。第二区域中形成的功率二级管有在本体的第一表面上的第一负载接口和第二表面上的第二负载接口，功率场效应晶体管结构的第二负载接口和功率二级管的第二负载接口由共同的负载接口构成。至少一个边缘闭合结构与第一表面相邻且在水平方向上在功率场效应晶体管结构的第一负载接口和功率二级管的第一负载接口之间。本发明还涉及集成的功率半导体器件和斩波电路的制造方法。

主权项

一种单片集成的功率半导体器件(100‑400)，包括：‑具有第一区域(110)和第二区域(120)的半导体本体(40)，其中，所述第一区域(110)和所述第二区域(120)分别从所述半导体本体(40)的第一表面(101)延伸直至所述半导体本体(40)的、与所述第一表面(101)相对布置的第二表面(102)，并且其中，所述第一表面(101)的法线方向(en)定义了垂直方向；‑在所述第一区域(110)中形成的功率场效应晶体管结构(TL1)，所述功率场效应晶体管结构具有布置在所述半导体本体(40)的所述第一表面(101)上的第一负载接口(10)和布置在所述半导体本体(40)的所述第二表面(102)上的第二负载接口(13)；‑在所述第二区域(120)中形成的功率二极管(DH1)，所述功率二极管具有布置在所述半导体本体(40)的所述第一表面(101)上的第一负载接口(12)和布置在所述半导体本体(40)的所述第二表面(102)上的第二负载接口(13)，其中，所述功率场效应晶体管结构(TL1)的所述第二负载接口(13)和所述功率二极管(DH1)的所述第二负载接口(13)由共同的负载接口构成；和‑至少一个边缘闭合结构(151，152，153，9)，所述边缘闭合结构与所述第一表面(101)相邻，并且在水平方向上布置在所述功率场效应晶体管结构(TL1)的第一负载接口(10)和所述功率二极管(DH1)的第一负载接口(12)之间，由此在所述第一区域和所述第二区域之间获得电压差。