[发明专利]声表面波器件芯片封装热应变的消减方法有效
| 申请号： | 201310235415.2 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103346753A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 赵成;徐威;严德洋;孙正亮;陈磊 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | H03H9/64 | 分类号： | H03H9/64 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 许必元 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种声表面波器件芯片封装热应变的消减方法，在声表面波器件芯片的压电单晶基片边缘区域与声表面波器件同步制作一组环形结构，所述环形结构采用具有一定热-机械特性的材料制成，与压电单晶基片、封装基座构成一个热-机械特性互补的复合结构。所述环形结构为制作在压电单晶基片表面以上的环形带或嵌入在压电单晶基片表面层内的环形条。所涉及的热应变消减结构简单紧凑，且位于芯片边缘非器件区域，不对器件的几何结构参数产生直接的影响，器件的电学参数也就不会劣化，能保证器件的一致性、符合性和可靠性；所涉及的热应变消减结构的制作方法与常规的声表面波器件加工工艺兼容，易与声表面波器件同步实现。 | ||
| 搜索关键词： | 表面波 器件 芯片 封装 应变 消减 方法 | ||
【主权项】：
一种声表面波器件芯片封装热应变的消减方法，其特征在于：在声表面波器件芯片的压电单晶基片边缘区域与声表面波器件同步制作一组环形结构，所述环形结构采用具有一定热‑机械特性的材料制成，与压电单晶基片、封装基座构成一个热‑机械特性互补的复合结构。
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