[发明专利]半导体器件形成方法在审
| 申请号： | 201310231998.1 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104241108A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成牺牲层；在所述牺牲层表面形成导电层，所述导电层至少包括位于牺牲层表面的第一导电层和位于第一导电层表面的第二导电层；采用第一等离子体刻蚀工艺对所述第二导电层进行蚀刻，直至暴露出第一导电层，形成开口；在所述开口的侧壁的第二导电层表面形成保护层；沿侧壁形成有所述保护层的开口、采用第二等离子体刻蚀工艺对所述第一导电层进行蚀刻，直至暴露出牺牲层，其中第二等离子体刻蚀工艺的各向异性弱于第一等离子体刻蚀工艺。本发明形成的半导体器件性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成牺牲层；在所述牺牲层表面形成导电层，所述导电层至少包括位于牺牲层表面的第一导电层和位于第一导电层表面的第二导电层；采用第一等离子体刻蚀工艺对所述第二导电层进行蚀刻，直至暴露出第一导电层，形成开口；在所述开口的侧壁的第二导电层表面形成保护层；沿侧壁形成有所述保护层的开口、采用第二等离子体刻蚀工艺对所述第一导电层进行蚀刻，直至暴露出牺牲层，其中第二等离子体刻蚀工艺的各向异性弱于第一等离子体刻蚀工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
