[发明专利]半导体器件形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件形成方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底表面形成牺牲层；

在所述牺牲层表面形成导电层，所述导电层至少包括位于牺牲层表面的第一导电层和位于第一导电层表面的第二导电层；

采用第一等离子体刻蚀工艺对所述第二导电层进行蚀刻，直至暴露出第一导电层，形成开口；

在所述开口的侧壁的第二导电层表面形成保护层；

沿侧壁形成有所述保护层的开口、采用第二等离子体刻蚀工艺对所述第一导电层进行蚀刻，直至暴露出牺牲层，其中第二等离子体刻蚀工艺的各向异性弱于第一等离子体刻蚀工艺。

2.如权利要求1所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述保护层材料为氧化铝。

3.如权利要求1所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述保护层的形成工艺为氧化工艺。

4.如权利要求3所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述保护层的形成工艺为等离子体辅助氧化工艺。

5.如权利要求3所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述保护层的形成工艺为：选用含氧的气体对所述第二导电层进行氧化，氧化温度大于100度，形成所述保护层，所述含氧气体为O₂、O₃、N₂O、或N₂O；或所述含氧气体为包含O₂、O₃、N₂O、或N₂O中的一种或多种气体的混合气体。

6.如权利要求1所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为至

7.如权利要求1所述的半导体器件形成方法，其特征在于，还包括：在所述第二导电层表面形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层表面形成具有图案的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，直至暴露出第二导电层；以所述光刻胶和刻蚀后的硬掩膜层为掩膜，刻蚀第二导电层，直至暴露出第一导电层，形成开口。

8.如权利要求7所述的半导体器件形成方法，其特征在于，在形成开口后，采用灰化工艺或湿法去除工艺去除所述光刻胶层。

9.如权利要求7所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述保护层被开口暴露出的表面与刻蚀后硬掩膜层的侧表面位于同一表面。

10.如权利要求7所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层材料为氧化硅或氮化硅。

11.如权利要求7所述的半导体器件形成方法，其特征在于，刻蚀所述硬掩膜层的工艺为：刻蚀腔室压力为2托至4托，源射频电源为300瓦至500瓦，偏压射频电源为150瓦至200瓦，刻蚀气体为含氟的气体，所述含氟的气体为CF₄、CHF₄、或C₄F₈，或所述含氟的气体为包含CF₄、CHF₄、或C₄F₈中一种或多种气体的混合气体。

12.如权利要求1所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述第一导电层材料为化合物，所述第二导电层材料为金属。

13.如权利要求12所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述第一导电层材料为SiGe。

14.如权利要求12所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述第二导电层材料为Al。

15.如权利要求1所述的半导体器件形成方法，其特征在于，第一等离子体刻蚀工艺为：刻蚀腔室压力为50mT至200mT，源射频电源为300瓦至2000瓦，偏压射频电源为100瓦至1000瓦，刻蚀气体为含氯的气体，所述含氯的气体为Cl₂和BCl₃。