[发明专利]PMOS晶体管及其形成方法、半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201310231963.8 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104241130B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 韦庆松;于书坤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种PMOS晶体管及其形成方法、半导体器件及其形成方法。所述PMOS晶体管的形成方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一栅极结构；在所述第一栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一凹槽；在所述第一凹槽的底部和侧壁上形成缓冲应力材料层，并对所述缓冲应力材料层进行刻蚀，以形成缓冲应力层，位于所述第一凹槽底部上缓冲应力层的厚度与位于所述第一凹槽侧壁上缓冲应力层的厚度的比值为11～0.8；在包括缓冲应力层的第一凹槽内形成主应力层。本发明所形成PMOS晶体管和半导体器件的性能较佳。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 晶体管 及其 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一栅极结构；在所述第一栅极结构两侧的所述半导体衬底内形成第一凹槽；在所述第一凹槽的底部和侧壁上形成缓冲应力材料层，位于第一凹槽侧壁上的缓冲应力材料层大于一定厚度，缓冲应力材料层在第一凹槽底部上的厚度比在侧壁上的厚度厚得多，厚度比为3～5:1；对所述缓冲应力材料层进行刻蚀，以形成缓冲应力层，保证位于第一凹槽侧壁上的缓冲应力层大于所述一定厚度，使第一凹槽底部上缓冲应力层的厚度减小，位于所述第一凹槽底部上缓冲应力层的厚度与位于所述第一凹槽侧壁上缓冲应力层的厚度的比值为1:1～0.8，所述一定厚度使得第一凹槽侧壁上的缓冲应力层能够起到籽晶层和阻挡主应力层中硼掺杂离子向沟道区中扩散的作用；在包括所述缓冲应力层的第一凹槽内形成主应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
