[发明专利]改善GaN基外延片内波长集中度的外延结构及生长方法

摘要

一种改善GaN基外延片内波长集中度的外延结构及生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、ALxGa1-xN插入层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层；其特征在于，在GaN非掺杂层后插入一层ALxGa1-xN层，当ALxGa1-xN层插入外延结构以后，在生长GaN非掺杂层时，该GaN非掺杂层流量相对不插入ALxGa1-xN层的情况减少10%~30%；在插入ALxGa1-xN层以后生长N型GaN层时，该N型GaN层流量相对不插入所述ALxGa1-xN层的情况减少0~20%。本发明方法可以有效提高LED外延片内波长集中度。

主权项

一种改善GaN基外延片内波长集中度的外延结构，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、ALxGa1‑xN插入层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层；其特征在于，在所述GaN非掺杂层后插入一层ALxGa1‑xN层，其中0.05

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