[发明专利]双极晶体管、半导体器件和双极晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201310222181.8 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104217945B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/73;H01L29/08;H01L29/10;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种双极晶体管、半导体器件和双极晶体管的形成方法，其中，双极晶体管的形成方法包括提供衬底，在衬底上形成有绝缘层、位于绝缘层上的纳米线，定义纳米线两端之间的部分长度纳米线为中区；去除中区下部分厚度的绝缘层形成镂空区；在形成镂空区后，对纳米线进行第一类型杂质掺杂，形成集电区；在中区表面形成环绕集电区的基区，在基区中掺杂有第二类型杂质，第二类型杂质的类型与第一类型杂质的类型相反；在部分长度基区表面形成环绕基区的发射区，在发射区中掺杂有第一类型杂质。本发明结合具有全包围栅极的场效应晶体管制造方法制造双极晶体管，实现了具有全包围栅极的场效应晶体管制造工艺和双极晶体管制造工艺的兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种双极晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成有绝缘层、位于所述绝缘层上的纳米线，定义所述纳米线两端之间的部分长度纳米线为中区；去除所述中区下部分厚度的绝缘层形成镂空区；在形成所述镂空区后，对所述纳米线进行第一类型杂质掺杂，形成集电区；在所述中区表面形成环绕所述集电区的基区，在所述基区中掺杂有第二类型杂质，所述第二类型杂质的类型与第一类型杂质的类型相反；在部分长度基区表面形成环绕基区的发射区，在所述发射区中掺杂有第一类型杂质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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