[发明专利]碘化铅光电导层基数字X射线平板探测器在审
申请号: | 201310219704.3 | 申请日: | 2013-06-05 |
公开(公告)号: | CN104218045A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 朱兴华;孙辉 | 申请(专利权)人: | 朱兴华;孙辉 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/032 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610225 四川省成都市双流县西南航空港*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种碘化铅光电导层基数字X射线平板探测器,包括矩阵式薄膜晶体管玻璃基板;光电导层,设置在所述矩阵式薄膜晶体管玻璃基板上;顶电极层,设置在所述光电导层表面。本发明提供的这种碘化铅光电导层基数字X射线平板探测器采用碘化铅材料层作为光电导层,将X射线光子直接转换成电荷信号,实现数字X射线成像,该材料结构和性能优良,制备工艺简单,易于实现低成本、大面积和大厚度要求的连续和稳定制备。因此,本发明提供的数字X射线平板探测器能降低放射医疗成像和无损探测成像成本,而能在放射成像领域内推广和普及。 | ||
搜索关键词: | 碘化 电导 基数 射线 平板 探测器 | ||
【主权项】:
碘化铅光电导层基数字X射线平板探测器,其特征在于,包括:矩阵式薄膜晶体管玻璃基板,用于读出电荷信号;光电导层,设置在所述矩阵式薄膜晶体管玻璃基板上,用于吸收X射线转化为电荷信号;以及顶电极层,设置在所述光电导层表面,用于施加偏置电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朱兴华;孙辉,未经朱兴华;孙辉许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310219704.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种脂环族环氧化合物及其制备方法与应用
- 下一篇:一种依达拉奉化合物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的