[发明专利]薄膜形成装置及利用该装置的薄膜形成方法有效
申请号: | 201310217321.2 | 申请日: | 2013-06-03 |
公开(公告)号: | CN103811678B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 朱星中;车裕敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人: | 余朦,姚志远 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了薄膜形成装置和采用该装置的薄膜形成方法。所公开的薄膜形成装置包括形成有阻断部和开放部的掩模板;以及通过该掩模板的开放部喷射蚀刻气体、以与图案相对应地蚀刻薄膜的蚀刻源;在掩模板设置有气体吹动器,其中,所述气体吹动器向开放部周围吹入气体以使得蚀刻气体不会渗透至与阻断部对应的薄膜区域。根据如上所述的构成,可以在准确地保护薄膜的正常残留区域的情况下进行准确的图案化,因此当采用上述装置或方法时,可以稳定产品的质量,并且提高生产效率。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 形成 装置 利用 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜形成装置,包括:掩模板,具有用于形成预定图案的多个阻断部和与所述阻断部交替设置的多个开放部,并且设置在形成有薄膜的基板上;以及蚀刻源,通过所述掩模板的开放部喷射蚀刻气体,从而与所述图案相对应地蚀刻所述薄膜;其中,所述掩模板具有用于向所述开放部周围吹入气体以使得所述蚀刻气体不会渗透至所述掩模板与所述基板之间的与所述阻断部对应的薄膜区域的气体吹动器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310217321.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电池包
- 下一篇:有机发光装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择