[发明专利]嵌入式锗硅结构的制造方法有效
| 申请号： | 201310213628.5 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103346086A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 丁弋;张明华;方精训;严均华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种嵌入式锗硅结构的制造方法包括在FinFET结构上沉积一层氮化硅；涂布一层光刻胶，经过光刻刻蚀，刻穿多晶硅两侧的氮化硅；在露出的FinFET结构的单晶硅上制作出孔洞；在该孔洞上，利用外延法形成嵌入式锗硅结构；刻蚀去除多余的氮化硅。本发明提供的嵌入式锗硅结构的制造方法简单易行，与现有技术相比，不会改变Fin结构的形状，可以在Fin结构上形成均一的锗硅，且具备锗硅尺寸大小的可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种嵌入式锗硅结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01，在FinFET结构上沉积一层氮化硅；步骤S02，涂布一层光刻胶，经过光刻刻蚀，刻穿多晶硅两侧的氮化硅；步骤S03，在露出的FinFET结构的单晶硅上制作出孔洞；步骤S04，在该孔洞上，利用外延法形成嵌入式锗硅结构；步骤S05，刻蚀去除多余的氮化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
