[发明专利]一种超高密度单层纳米晶存储器的制备方法无效
| 申请号： | 201310208992.2 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103280431A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 刘晓杰;李爱东;高墨昀;李学飞;吴迪 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210008 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超高密度单层纳米晶存储器的制备方法，先用ALD方法在干净的半导体衬底上生长一层3~10nm厚的高介电隧穿层，形成高介电薄膜；接着将3～8nm粒径可控、单分散好的金属纳米颗粒浸渍涂覆或旋涂在高介电薄膜上，自组装成有序排列的单层纳米颗粒点阵；最后再利用ALD方法在单层纳米颗粒点阵表面覆盖一层10~30nm厚度的高介电材料控制层。本发明利用湿化学法在合成大小可控、单分散性好的金属纳米颗粒方面的优势，通过廉价的浸渍涂覆或旋涂的方法，在ALD沉积的超薄高介电膜层上自组装单层有序金属纳米颗粒点阵，然后再ALD生长一层厚度为10～30纳米的高介电薄膜控制层，实现一种超高密度单层纳米晶存储器的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 密度 单层 纳米 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超高密度单层纳米晶存储器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）先用ALD方法在干净的半导体衬底上生长一层3~10 nm厚的高介电隧穿层，形成高介电薄膜；2）采用湿化学法合成3～8 nm粒径可控、单分散性好的金属纳米颗粒；3）接着将金属纳米颗粒浸渍涂覆或旋涂在高介电薄膜上，自组装成有序排列的单层纳米颗粒点阵；4）最后再利用ALD方法在单层纳米颗粒点阵表面覆盖一层10~30 nm厚度的高介电材料控制层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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