[发明专利]一种不含碳层的CZTS或者CZTSe薄膜的非真空制备方法

摘要

本发明涉及一种不含碳层的CZTS或者CZTSe薄膜的非真空制备方法，属于薄膜太阳能电池制备技术领域。本发明的实施步骤为：将CZTS或CZTSe前驱体液，均匀地涂敷在衬底上得到湿膜；在氮气或惰性保护气氛下，对湿膜进行热分解，得到非晶干膜后，对非晶干膜进行退火处理，得到一层无碳层的多晶薄膜；在所述的无碳层多晶薄膜上继续涂敷湿膜，重复上述步骤，直至得到成品。本发明是进一步提高CZTS或者CZTSe薄膜太阳能电池光电转换效率的有效途径。本发明，制备工艺简单，所需的设备为常用设备，成本低，便于工业化生产，所得产品性能优良，具有很好的市场前景。

主权项

一种不含碳层的CZTS或者CZTSe薄膜的非真空制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将CZTS或CZTSe前驱体液，均匀地涂敷在衬底上得到湿膜；在氮气或惰性保护气氛下，对湿膜进行热分解，得到非晶干膜后，对非晶干膜进行退火处理，得到一层无碳层的多晶薄膜；在所述的无碳层多晶薄膜上继续涂敷湿膜，重复上述步骤，直至得到所需厚度的无碳层CZTS或者CZTSe薄膜；所述湿膜的厚度为100‑1000nm；所述热分解的温度为150～350℃；所述退火的温度为400～600℃，每次退火的时间为3～10min。