[发明专利]一种场效应晶体管有效
| 申请号： | 201310203111.8 | 申请日： | 2013-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN104183635B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 文正;林书勋;孟迪;吴文刚;郝一龙 | 申请（专利权）人： | 北京天元广建科技研发有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 102200 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管，涉及半导体器件技术领域，为了能够使器件同时具备高击穿电压和高饱和输出电流而发明。该场效应晶体管，包括衬底，形成于所述衬底上方的沟道层，形成于所述沟道层上方的势垒层，形成于所述势垒层上方的源极、漏极、栅极，所述源极和所述漏极分别位于所述栅极的两侧，以及形成于所述栅极和所述漏极之间的至少一个欧姆接触金属条。本发明主要应用在使用三五族化合物半导体的场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；沟道层，形成于所述衬底的上方；势垒层，形成于所述沟道层的上方；源极、漏极、栅极，形成于所述势垒层的上方，所述源极和所述漏极分别位于所述栅极的两侧；至少一个欧姆接触金属条，形成于所述栅极和所述漏极之间；所述欧姆接触金属条的两侧与所述沟道层中的二维电子气直接接触，所述二维电子气形成于所述沟道层中靠近其与所述势垒层接触部分的上侧边缘处。
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