[发明专利]沟槽栅肖特基势垒二极管无效
| 申请号： | 201310200148.5 | 申请日： | 2013-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN103413836A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 张志群;张峰 | 申请（专利权）人： | 上海恺创电子有限公司;北京希格玛和芯微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200237 上海市上海恺*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽肖特基势垒二极管的器件结构以及相应的工艺形成方法。半导体N型衬底上，形成有N型外延区，沟槽被形成在N型外延区中。所述沟槽侧壁有P型外延形成，P型外延衬层沿着沟槽的侧壁形成。所述P型外延衬层中间形成有多晶硅，多晶硅为N型掺杂并与P型外延之间有电介质隔离，其上通过接触孔和金属与沟槽之间的源区相连。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 肖特基势垒二极管 | ||
【主权项】：
一种沟槽肖特基二极管的结构，所述结构包括：N型衬底[1]N型外延区[2]，位于N型衬底上方沟槽[3]，延伸至所述N型外延区[2]P型外延[4]，衬于每个沟槽[3]侧壁和底部多晶硅[6]，位于沟槽[3]中间，与P型外延[4]间有电介质隔离[5]所述N型外延区[2]上方有层间膜[7]，并通过接触孔[8]、互连层[9]，与所述沟槽内的多晶硅[6]相连
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