[发明专利]并行测试器件

摘要

本发明提供了一种并行测试器件，该并行测试器件包括：半导体衬底，第一掺杂阱，位于所述第一掺杂阱上方的栅极结构，所述栅极结构两侧的源级和漏极，基极以及第二掺杂阱。所述第二掺杂阱包围所述第一掺杂阱、源级、漏极和基极，并且与所述第一掺杂阱掺杂类型相反，以此来隔断不同并行测试器件之间的基极，防止在并行测试时相同类型的器件基极漏电流相互干扰，从而测量到正确的漏电流，提高测试结果的可靠性以及测试效率。

主权项

一种并行测试器件，其特征在于，包括：半导体衬底；第一掺杂阱，位于所述半导体衬底内；栅极结构，位于所述第一掺杂阱上方的半导体衬底表面；源级和漏极，分别位于所述栅极结构两侧的第一掺杂阱内；两个基极，位于所述第一掺杂阱内，分别与源级和漏极相邻，通过第一浅沟道隔离结构与所述源级和漏极相隔离；以及半导体衬底内的第二掺杂阱，包围所述第一掺杂阱、源级、漏极和基极，并通过第二浅沟道隔离结构隔离，所述第二掺杂阱与所述第一掺杂阱掺杂类型相反。