[发明专利]铝衬垫形成方法无效
| 申请号： | 201310195605.6 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103280411A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 赵万金;刘睿;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种铝衬垫形成方法，包括将铝衬垫分至少两次沉积，其中，第一次沉积的温度低于第二次沉积的温度。本发明的铝衬垫形成方法，第一次沉积在低温下生长薄的第一铝层，第二铝层在高温下生长，由于所述第一铝层生长的环境温度低，所以，所述第一铝层晶粒较小，表面平整，表面介质层也得到了有效的控制；在所述第二铝层高温环境下生长时，由于有了冷却缓冲时间，晶圆表面温度会下降，而且所述第一铝层介质表面平整，从而容易释放应力，减少了须状缺陷，使得在后续的金属线图形形成过程中容易被蚀刻掉，从而避免或减少铝衬垫的缺陷，以提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 衬垫 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种铝衬垫形成方法，包括将铝衬垫分至少两次沉积，其中，第一次沉积的温度低于第二次沉积的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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