[发明专利]NOR型闪存存储单元及其制造方法有效
| 申请号： | 201310195064.7 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN104183552B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 吴楠;冯骏 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/11521;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NOR型闪存存储单元的制造方法，包括在有源区上形成包含控制栅层的预备蚀刻层；对预备蚀刻层进行第一蚀刻；在经过第一蚀刻的凹槽中填充层间电介质材料；进行第二蚀刻去除源极连线的预定位置和漏极连线的预定位置的层间电介质材料；沉积控制栅保护层，并对控制栅保护层进行第三蚀刻以露出有源区表面；在经过第三蚀刻的凹槽中填充连线导电材料。本发明通过先沉积ILD材料，然后经过蚀刻之后沉积控制栅保护层，再填充连线导电材料，由于对于连线的预定位置的蚀刻在绝缘保护层沉积之前，可以避免其对控制栅保护层的伤害，可以保证较高的CT‑CG击穿电压，在芯片的运行过程中不容易击穿。 | ||
| 搜索关键词： | nor 闪存 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种NOR型闪存存储单元的制造方法，包括：在有源区上形成包含控制栅层的预备蚀刻层；对所述预备蚀刻层进行第一蚀刻；在经过第一蚀刻的凹槽中填充层间电介质材料；进行第二蚀刻去除源极连线的预定位置和漏极连线的预定位置的层间电介质材料；沉积控制栅保护层，并对所述控制栅保护层进行第三蚀刻以露出所述有源区表面；在经过第三蚀刻的凹槽中填充连线导电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
