[发明专利]一种精准套印的选择性发射极电池的制造方法

摘要

本发明涉及一种精准套印的选择性发射极电池的制造方法。本发明将光学定位和机械定位相结合，通过光学定位实现了腐蚀剂印刷和栅线印刷之间的精确套印，通过机械定位确保了硅片与硅片之间的印刷图案的一致性。其中，在光学定位中，对硅片和第二网版的重叠精准度进行了核查，保证了套印的精准度；通过将网版设计成为具有方向性的网版，使得印刷出的硅片具有方向性，便于硅片在第二印刷台上快速定位，提高了印刷效率；通过将第二光学摄像设置为三维摄像装置，并在图像分析识别系统中设置了三维图像分析模块，可根据监测到的不同硅片上的凹槽深度调整电极栅线的上浆量，进一步提高了套印精准度，提高了电池片的光电转化效率。

主权项

一种精准套印的选择性发射极电池的制造方法，其特征在于依次包括以下步骤：S1. 将硅片进行常规的清洗、制绒以及生长掩膜处理； S2. 将硅片定位在上方设置有第一网版且可相对于第一网版自由移动的第一印刷台上，经第一印刷台和第一网版叠合后在硅片上印刷腐蚀剂，其中腐蚀剂所印刷的图案与预印刷的正电极栅线图案相对应，待腐蚀剂下方的二氧化硅层充分腐蚀掉后，清洗硅片以除去腐蚀剂以及机械损伤层，从而在硅片上形成凹槽；S3. 将硅片放入扩散炉中进行扩散处理，扩散处理后将硅片浸渍在氢氟酸中以除去磷酸玻璃层和二氧化硅掩膜，随后用等离子刻蚀技术除去硅片边缘PN结，然后用等离子体化学气相沉积法在硅片形成有所述凹槽的一侧表面上沉积减反射膜；S4. 在硅片无所述凹槽的一侧表面印刷背电极、背电场，并烘干；S5. 将硅片定位在上方设置有第二网版且可相对于第二网版自由移动的第二印刷台上，并将硅片形成有凹槽的一侧表面面向第二网版，第二网版与第一网版图案一致，通过第一光学摄像装置和第二光学摄像装置分别拍摄硅片以及第二网版以获取硅片上凹槽和第二网版的图像信息，将获得的图像信息传输给图像分析识别系统，由图像分析识别系统进行图像识别、分析、对比后计算出第二网版相对于硅片的位置差，并将所述位置差传输给控制系统，由控制系统按照所述位置差驱动第二印刷台移动以实现第二印刷台位置的校正，待第二印刷台位置校正后，第二印刷台和第二网版叠合，印刷正电极栅线； S6. 烧结：通过烧结使电极固定地粘附在硅片上并形成欧姆接触。