[发明专利]摄像装置和摄像显示系统

摘要

本发明涉及摄像装置和采用该摄像装置的摄像显示系统。所述摄像装置包括多个像素。各所述像素包括光电转换装置，所述光电转换装置用于将入射的电磁辐射转换成电信号；及至少一个晶体管，所述至少一个晶体管包括第一栅电极和位于所述第一栅电极上方的第二栅电极。所述第一栅电极和所述第二栅电极在非重叠区域中彼此不重叠。根据本发明，能够抑制散粒噪声并从而能够提高摄像质量。

主权项

一种摄像装置，所述摄像装置包括多个像素，各所述像素包括：光电转换装置，所述光电转换装置用于将入射的电磁辐射转换成电信号；及至少一个晶体管，所述至少一个晶体管包括第一栅电极和位于所述第一栅电极上方的第二栅电极，其中，所述至少一个晶体管还包括：半导体层，所述半导体层位于所述第一栅电极和所述第二栅电极之间；源电极，所述源电极电连接到所述半导体层的第一端部；及漏电极，所述漏电极电连接到所述半导体层的第二端部，其中，所述半导体层包括沟道层，所述沟道层具有朝向所述源电极的第一端部和朝向所述漏电极的第二端部，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极在第一非重叠区域和第二非重叠区域中彼此不重叠，所述沟道层的所述第一端部位于所述第一非重叠区域中，且所述沟道层的所述第二端部位于所述第二非重叠区域中，其中，所述第一端部在所述第一非重叠区域中从所述第一栅电极露出，且所述第二端部在所述第二非重叠区域中从所述第二栅电极露出，或者所述第一端部在所述第一非重叠区域中从所述第二栅电极露出，且所述第二端部在所述第二非重叠区域中从所述第一栅电极露出，并且其中，所述半导体层还包括与所述第一端部和所述第二端部中的至少一者邻近的轻掺杂漏极层。