[发明专利]二氧化钛纳米棒-纳米微晶-纳米花材料及其制备有效
申请号: | 201310185385.9 | 申请日: | 2013-05-20 |
公开(公告)号: | CN103311325A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 刘恩佐;张淼;赵乃勤;何春年;师春生;李伟;李家俊 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;C01G23/047;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L31/18 |
代理公司: | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人: | 王小静 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种二氧化钛纳米棒-纳米微晶-纳米花材料及其制备方法。该材料的结构:底部为二氧化钛纳米棒,中间层为二氧化钛纳米微晶,顶部为二氧化钛纳米花。其制备过程包括:将二氧化钛P25粉末、乙基纤维素分别配制成乙醇溶液,加入松油醇、正丁醇,水浴反应,蒸出乙醇,研磨后得到二氧化钛料浆;通过丝网印刷技术将二氧化钛料浆印刷到导电玻璃上,在自然条件下干燥;在反应釜中,加入去离子水、浓盐酸及钛酸丁酯,然后将上述导电玻璃倾斜放入反应溶液中反应,得到该材料。本发明的优点在于,简单易行,能耗低,制备周期短,易于工业化批量生产,并且制得的材料有利于染料敏化太阳能电池效率的提升。 | ||
搜索关键词: | 氧化 纳米 材料 及其 制备 | ||
【主权项】:
一种二氧化钛纳米棒‑纳米微晶‑纳米花材料,其特征在于,该材料的底部为二氧化钛纳米棒,中间层为二氧化钛纳米微晶,顶部为二氧化钛纳米花,其中纳米棒长度为8~12μm,直径为80~120nm,而二氧化钛纳米微晶厚度为1.5μm~2.5μm,二氧化钛纳米花直径为80~120nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的