[发明专利]一种集成电路芯片ESD防护用MOS器件

摘要

一种集成电路芯片ESD防护用MOS器件，属于电子技术领域。本发明在不增加器件尺寸、无需消耗更多芯片面积的情况下，通过在源区和衬底接触区之间的下方衬底区域增加若干平行于器件横向方向的条状阱区的方式来增加源区和衬底接触区之间的衬底电阻，从而提高器件的抗静电释放能力；另外，还可以通过调整条状阱区、宽度及相互间的距离来调整器件衬底电阻的大小和改善器件的开启均匀性问题，进一步提高器件的二次击穿电流；同时，本发明的制造工艺与标准CMOS工艺兼容。综上所述，本发明提供的集成电路芯片ESD防护用MOS器件因衬底电阻的增大而具有更强的抗静电释放能力，同时没有增加器件尺寸，不会导致器件成产成本的增加。

主权项

一种集成电路芯片ESD防护用MOS器件，包括第二导电类型半导体衬底、第二导电类型半导体源端衬底接触区、第一导电类型半导体源区、第一导电类型半导体漏区；所述第二导电类型半导体源端衬底接触区、第一导电类型半导体源区和第一导电类型半导体漏区均位于第二导电类型半导体衬底表面，其中第二导电类型半导体源端衬底接触区和第一导电类型半导体源区与源极金属相连，第一导电类型半导体漏区与漏极金属相连；所述第一导电类型半导体源区居于第二导电类型半导体源端衬底接触区和第一导电类型半导体漏区之间，在第一导电类型半导体源区和第一导电类型半导体漏区之间的第二导电类型半导体衬底表面具有栅氧化层，栅氧化层的表面具有多晶硅栅电极；在第二导电类型半导体源端衬底接触区和第一导电类型半导体源区之间的下方第二导电类型半导体衬底区域具有至少两个以上的平行于器件横向方向的第一导电类型半导体条状阱区，所述平行于器件横向方向的第一导电类型半导体条状阱区将第二导电类型半导体源端衬底接触区和第一导电类型半导体源区之间的下方第二导电类型半导体衬底区域隔离成相互平行的叉指条。