[发明专利]一种薄膜晶体管、制备方法及相应的液晶显示器在审
| 申请号： | 201310181621.X | 申请日： | 2013-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103311311A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 江政隆;陈柏林 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人： | 潘中毅;熊贤卿 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管，至少包括在衬底上形成的栅极电极、与所述栅极电极接触的栅极绝缘层，和设置于所述栅极绝缘层另一侧的氧化物半导体层，所述栅极绝缘层的氢浓度呈现浓度梯度分布，靠近栅极电极的部份氢浓度较高，而靠近氧化物半导体层的部份氢浓度较低。本发明实施例还公开了一种薄膜晶体管的制备方法和相对应的薄膜晶体管液晶显示器。根据本发明的实施例，可以有效减少栅极绝缘层（特别是靠近氧化物半导体层的部份）所含氢浓度，避免氧化物半导体层中的氧会与栅极绝缘层中的氢结合而导致的薄膜晶体管电性劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制备 方法 相应 液晶显示器 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，至少包括在衬底上形成的栅极电极、与所述栅极电极接触的栅极绝缘层和设置于所述栅极绝缘层另一侧的氧化物半导体层，其特征在于，所述栅极绝缘层的氢浓度呈现浓度梯度分布，靠近栅极电极的部份氢浓度较高，而靠近氧化物半导体层的部份氢浓度较低。
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