[发明专利]用于预测金属氧化物半导体阵列中的电流失配的分析模型

摘要

本发明提供了一种用于设计集成电路并且预测金属氧化物半导体(MOS)阵列中的电流失配的系统和方法。选择MOS阵列中的第一单元子集并且对于这些单元中的每个单元测量电流。确定用于第一单元子集中的每个单元的电流相对于参考单元的电流的标准差。可以使用用于第一子集中的一个或多个单元的电流的被确定的标准差来确定局部变化的标准差。然后，可以确定在阵列的x和/或y方向上由例如多晶硅密度梯度效应所导致的变化的标准差，并且通过其确定用于阵列中的任何单元的电流失配。本发明还提供了用于预测金属氧化物半导体阵列中的电流失配的分析模型。

主权项

1.一种表征金属氧化物半导体(MOS)阵列的方法，包括以下步骤：对具有限定单元的集合的多行和多列的金属氧化物半导体(MOS)阵列建模；在所述集合的第一单元子集上沉积硅；测量所述第一单元子集中的每个单元的电流；确定所述第一单元子集中的每个单元的电流相对于所述阵列中的参考单元的电流的标准差；确定局部变化的标准差作为所述第一单元子集中的一个或多个单元的电流的被确定标准差的函数；确定在第一方向上由于多晶硅密度梯度效应所导致的变化的标准差作为所确定的所述局部变化的标准差和所述第一单元子集中的一个或多个单元的电流的被确定标准差的函数；以及确定在第二方向上由于所述多晶硅密度梯度效应所导致的变化的标准差作为所确定的所述局部变化的标准差和所述第一单元子集中的一个或多个单元的电流的被确定标准差的函数；以及将所述集合的第二单元子集表征为在所述第一方向和/或所述第二方向上由于所述多晶硅密度梯度效应所导致的变化的被确定标准差的函数，所述第二单元子集包括均与所述第一单元子集互斥的一个或多个单元。