[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201310177638.8 | 申请日: | 2013-05-14 |
公开(公告)号: | CN104157742A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 高武羣;程立伟;蒋天福 | 申请(专利权)人: | 联景光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/0224;H01L31/075 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法,其中制造方法包括以下步骤:提供光电转换层。在光电转换层相对的第一表面以及第二表面上形成透光层,其中第一表面上的透光层具有电极区以及邻接电极区的至少一非电极区。在第一表面上的透光层上形成罩幕层,以遮蔽非电极区,并曝露出电极区。在电极区内相继形成种子层以及电极层,其中种子层与第一表面上的透光层直接接触并位于电极层与第一表面上的透光层之间。移除罩幕层。在光电转换层的第二表面上相继形成另一种子层以及另一电极层。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:提供一光电转换层;在该光电转换层相对的一第一表面与一第二表面上分别形成一透光层,其中该第一表面上的该透光层具有一电极区以及邻接该电极区的至少一非电极区;在该第一表面上的该透光层上形成一罩幕层,该罩幕层遮蔽该非电极区,且曝露出该电极区;在该电极区内相继形成一种子层以及一电极层,其中该种子层与该第一表面上的该透光层直接接触并位于该第一表面上的该透光层与该电极层之间;移除该罩幕层;以及在该光电转换层的该第二表面上的该透光层上相继形成另一种子层以及另一电极层。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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