[发明专利]一种V掺杂的YBCO超导薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201310175509.5 | 申请日： | 2013-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN103265279A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 索红莉;任程;毛磊;刘敏;徐燕;张子立 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/45 | 分类号： | C04B35/45;C04B35/622;B28B1/30 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种V掺杂的YBCO超导薄膜及其制备方法，属于YBCO涂层超导薄膜制备技术领域。一种双钙钛矿结构纳米颗粒BYVO掺杂的YBCO超导薄膜，其制备：1）首先配制前驱溶液，把乙酸钇、乙酸钡和乙酸铜按照Y：Ba：Cu=1:2:3的摩尔比混合，制成YBCO前驱溶液。2）搅拌均匀后再加入三种金属总离子摩尔浓度的5%-10%的乙酰丙酮钒，制备成V掺杂的YBCO前驱溶液。（3）凝胶薄膜的涂覆；4）低温烧结；5）高温烧结，形成含有纳米BYVO的YBCO超导薄膜。本发明所提供的方法简单易行，可以任意控制掺杂物配比，所制得的薄膜具有较高的临界转变温度，临界电流密度和良好的双轴织构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 ybco 超导 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种V掺杂的YBCO超导薄膜，其特征在于，是一种双钙钛矿结构纳米颗粒BYVO掺杂的YBCO超导薄膜。
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