[发明专利]具有多水平单元的非易失性存储装置及其编程方法有效
| 申请号： | 201310170721.2 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103515531B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 吴圭焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了包括多水平单元的非易失性存储装置及其编程方法。该装置包括第一导电图案和第二导电图案。另外，该装置包括在第一导电图案与第二导电图案之间的电极结构和数据存储图案。数据存储图案可包括相变材料，数据存储图案的第一部分的第一垂直厚度可以小于数据存储图案的第二部分的第二垂直厚度。电极结构可包括第一电极和第二电极，第一电极的垂直厚度可以大于第二电极的垂直厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 水平 单元 非易失性 存储 装置 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储装置，包括：在衬底上的第一导电图案；在所述第一导电图案上的开关器件；在所述开关器件上的电极结构；自对准于所述电极结构的数据存储图案；以及在所述数据存储图案上的第二导电图案，其中所述电极结构包括第一电极和第二电极，所述第一电极电连接到所述开关器件并且与所述数据存储图案接触，所述第二电极电连接到所述开关器件并且与所述数据存储图案接触，所述第二电极具有比所述第一电极大的电阻率。
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