[发明专利]半导体器件以及在FO-WLCSP中形成双侧互连结构的方法

摘要

本发明的名称为半导体器件以及在FO‑WLCSP中形成双侧互连结构的方法。一种半导体器件具有衬底，所述衬底包括形成在所述衬底的第一和第二相反表面上的第一和第二导电层。多个引线柱或柱形凸起被形成在所述衬底上。半导体小片被安装到所述引线柱之间的所述衬底上。第一密封剂被沉积在所述半导体小片周围。第一互连结构被形成在所述半导体小片和第一密封剂上。第二密封剂被沉积在所述衬底、半导体小片和第一互连结构上。所述第二密封剂能够被形成在所述半导体小片的一部分和所述衬底的侧表面上。所述第二密封剂的一部分被去除以暴露所述衬底和第一互连结构。第二互连结构被形成在所述第二密封剂和第一互连结构上并且与所述引线柱电耦合。分立半导体器件能够被形成在所述互连结构上。

主权项

1.一种制作半导体器件的方法，其包括：提供衬底，所述衬底包括在所述衬底的表面上形成的第一导电层；在所述衬底的所述表面上形成多个引线柱；将半导体小片安装到所述引线柱之间的所述衬底的表面上；在与所述衬底相对的所述半导体小片的表面上形成第一互连结构；提供载体；将所述衬底、引线柱、半导体小片和第一互连结构布置在所述载体上，其中所述第一互连结构朝所述载体来定向；将第一密封剂沉积在所述载体、衬底、半导体小片和第一互连结构上；去除所述载体；以及在所述第一密封剂和第一互连结构上形成第二互连结构，并且在去除所述载体后所述第二互连结构电连接到所述引线柱。