[发明专利]一种免底涂工艺无效
| 申请号： | 201310167696.2 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103290362A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 郭艳平 | 申请（专利权）人： | 中山天誉真空科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/24;C23C14/12;C23C14/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528400 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种免底涂工艺，包括以下步骤：(1)对镀件表面进行高压离子清洗；(2)对清洗后的镀件表面镀基膜，并镀上有机硅等离子重合SiOx；(3)在真空室内对涂有基膜的镀件进行蒸发镀膜，真空度为3×10-2Pa；(4)在炉内对镀膜后的镀件附上保护膜，附保护膜时间为200s。本发明提高了产品附着力及抗酸碱能力，提高了工作效率，保证了产品品质的稳定性和一致性，减少了人为因素影响，以及环境污染等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 免底涂 工艺 | ||
【主权项】：
一种免底涂工艺，其特征在于：包括以下步骤：(1)对镀件表面进行高压离子清洗，清洗时间≤10s；(2)对清洗后的镀件表面镀基膜，镀基膜时间为60s，并镀上有机硅等离子重合SiOX；(3)在真空室内对涂有基膜的镀件进行蒸发镀膜，真空度为3×10‑2Pa；(4)在炉内对镀膜后的镀件附上保护膜，附保护膜时间为200s。
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