[发明专利]一种测量晶体材料中钕离子掺杂浓度的方法有效
| 申请号： | 201310166877.3 | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103257113A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 王世武;刘宗楷 | 申请（专利权）人： | 青岛海泰光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/31 | 分类号： | G01N21/31 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 郑自群 |
| 地址： | 266107 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用光谱分析方法测量晶体材料中钕离子掺杂浓度的方法，包括以下步骤：第一步：将钕离子掺杂的激光晶体毛胚头尾各加工一片胚片；第二步，按照钕离子掺杂的激光晶体胚片的生长方向A面进行加工，激光级抛光，标识出晶体的光轴C；第三步，采用分光光度计进行测量，取样；第四步，根据程序扫描晶体的吸光度A，标识出757nm，780nm的数值；第五步，将吸光度A和晶体厚度L代入公式C=3.408×（A757-A780）×L-1得到晶体材料中钕离子掺杂浓度。本发明的方法将大大改善现有的电感耦合等离子体发射光谱法的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 晶体 材料 离子 掺杂 浓度 方法 | ||
【主权项】：
一种测量晶体材料中钕离子掺杂浓度的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步：将钕离子掺杂的激光晶体毛胚头尾各加工一片胚片；第二步，按照钕离子掺杂的激光晶体胚片的生长方向A面进行加工，激光级抛光，标识出晶体的光轴C；第三步，采用分光光度计进行测量，取样；第四步，根据程序扫描晶体的吸光度A，标识出757nm，780nm的数值；第五步，将吸光度A和晶体厚度L代入公式C=3.408×（A757‑A780）×L‑1得到晶体材料中钕离子掺杂浓度。
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