[发明专利]一种电场阻止型绝缘栅双极型晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种电场阻止型绝缘栅晶体管的制造方法，其包括如下步骤：在硅片背面通过背面注入、高温推阱，形成背面电场阻止层的步骤，在硅片正面形成栅极的步骤，在硅片正面形成P型区的步骤，在硅片正面形成源区的步骤，在硅片正面形成接触孔的步骤，在硅片正面形成金属层的步骤，在硅片背面注入P+层与退火的步骤以及在硅片背面金属化的步骤。本发明的方法通过在晶圆背面注入、高温推阱实现电场阻止层的制作。本发明的方法既可以很好的保证IGBT结构的性能，又实现可以减小圆片的工艺时间，提高的了生产效率，降低了成本。

主权项

一种电场阻止型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，其包括：通过在硅片背面注入形成N+阱，经高温推阱形成N+阻止层的步骤；在硅片正面形成栅氧层的步骤；在栅氧层上形成多晶硅层的步骤；对多晶硅层进行光刻与刻蚀，留出形成器件P型区注入区域开口的步骤；P型区注入与扩散，形成承受耐压和阈值所需的P型区的步骤；通过光刻、注入和扩散在P型区内形成N+源区的步骤；通过化学气相沉积，形成介质层的步骤；在所述介质层上形成短接P型区和源区的接触孔的步骤；在所述介质层表面淀积金属电极层的步骤；在硅片背面N+阻止层的外侧通过注入与退火形成背面P+层的步骤；在硅片背面金属化的步骤。