[发明专利]制造太阳能电池的方法及太阳能电池有效
| 申请号： | 201310165702.0 | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN104143583A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 洪光辉;颜贤成;吴家宏;陈易聪;柯震宇;陈玄芳;欧乃天;黄桂武;童智圣 | 申请（专利权）人： | 昱晶能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾苗栗县竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种制造太阳能电池的方法及太阳能电池。制造太阳能电池的方法包括下列步骤：提供一第一导电型层，第一导电型层具有一上表面。掺杂一掺质至第一导电型层中，以于第一导电型层的上表面的下方形成一第二导电型层。第二导电型层具有一轻掺杂区。利用一激光掺杂制程掺杂掺质至第二导电型层的轻掺杂区中，以于第二导电型层的轻掺杂区中形成一半导体图案层。半导体图案层的掺质浓度大于第二导电型层的轻掺杂区的掺质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
一种制造太阳能电池的方法，其特征在于，包含：提供一第一导电型层，该第一导电型层具有一上表面；掺杂一掺质至该第一导电型层中，以于该第一导电型层的该上表面的下方形成一第二导电型层，其中该第二导电型层具有一轻掺杂区；以及利用一激光掺杂制程掺杂该掺质至该第二导电型层的该轻掺杂区中，以于该第二导电型层的该轻掺杂区中形成一半导体图案层，其中该半导体图案层的掺质浓度大于该第二导电型层的该轻掺杂区的掺质浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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