[发明专利]基于氧化锌材料的紫外红外双色探测器及其制作方法无效
申请号: | 201310163933.8 | 申请日: | 2013-05-07 |
公开(公告)号: | CN103258869A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 矫淑杰;王东博 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/11;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150000 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 基于氧化锌材料的紫外红外双色探测器及其制作方法,属于半导体光电器件技术领域。所述探测器包括衬底(10),在衬底(10)上依次生长的缓冲层(11)、第一n型欧姆电极接触层(12)、红外敏感层、第二n型欧姆电极接触层(16)、紫外敏感层(17),以及设置在紫外敏感层之上的透明电极层(19),在所述第一n型欧姆电极接触层(12)、第二n型欧姆电极接触层(16)和透明电极层(19)上分别设置有底部电极(22)、中间电极(21)和顶部电极(20)。本发明采用三电极结构,即三电极结构中的中电极作为紫外、红外探测的公用电极,上电极和下电极分别作紫外、红外探测的另一电极,实现同时探测紫外、红外辐射。 | ||
搜索关键词: | 基于 氧化锌 材料 紫外 红外 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
基于氧化锌材料的紫外红外双色探测器,其特征在于所述探测器包括衬底(10),在衬底(10)上依次生长的缓冲层(11)、第一n型欧姆电极接触层(12)、红外敏感层、第二n型欧姆电极接触层(16)、紫外敏感层(17),以及设置在紫外敏感层之上的透明电极层(19),在所述第一n型欧姆电极接触层(12)、第二n型欧姆电极接触层(16)和透明电极层(19)上分别设置有底部电极(22)、中间电极(21)和顶部电极(20)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的