[发明专利]一种PECVD镀膜系统有效
申请号: | 201310161928.3 | 申请日: | 2013-05-06 |
公开(公告)号: | CN103276369A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 何祝兵;苏奇聪;王春柱;刘传生 | 申请(专利权)人: | 南方科技大学 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种PECVD镀膜系统,包括工艺系统、装卸系统及阀门机构;工艺系统包括工艺腔体及工艺反应室;工艺反应室设置在工艺腔体内;装卸系统包括装卸腔体及传输机械手;传输机械手滑动设置在装卸腔体与工艺腔体之间;阀门机构设置在工艺腔体与装卸腔体之间,用于工艺腔体与装卸腔体之间的连通或隔离,通过阀门机构使得传输机械手可以在腔体之间往复运动,同时保证了腔体之间的互相连通以及真空环境的相互独立;装卸腔体同时具备装载腔和中转传输腔的功能,能满足基片上下料以及在腔体之间相互传输的功能;由于只有两个腔体,结构更为简单,使得设备成本低,安装维护简单方便,传输结构简单便易,对机械精度要求低。 | ||
搜索关键词: | 一种 pecvd 镀膜 系统 | ||
【主权项】:
一种PECVD镀膜系统,其特征在于,包括工艺系统、装卸系统、及阀门机构;所述工艺系统包括工艺腔体及至少一个工艺反应室;所述工艺反应室设置在工艺腔体内,用于对基片进行镀膜;所述工艺反应室具有一朝向所述装卸腔体的开口,所述工艺反应室的开口处均设有密封门,用于工艺反应室与工艺腔体的连通或隔离;所述装卸系统包括装卸腔体及传输机械手;传输机械手滑动设置在装卸腔体与工艺腔体之间,用于基片的上下料及传输;所述阀门机构设置在所述工艺腔体与所述装卸腔体之间,用于工艺腔体与装卸腔体之间的连通或隔离。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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